ご挨拶

　このたび、「先進パワー半導体ウエハ加工技術展2027」を、2027年3月10日（水）から12日（金）までの3日間、千葉県・幕張メッセにて、研削加工の専門技術展「GTJ2027」と同時開催いたします。
　本展示会は、次世代パワー半導体であるSiC（シリコンカーバイド）およびGaN（窒化ガリウム）、ダイヤモンド等のウエハ加工に関する最先端技術とソリューションが一堂に集結する、国内最大級の専門展示会です。スライシング、研削、ラッピング、CMP、洗浄、検査・評価、装置・材料など、ウエハ製造工程の全フェーズにわたる最新技術と製品が紹介されます。
　前回の「SiC, GaN加工技術展」では、初開催にもかかわらず、多くの皆様にご出展・ご来場いただき、盛況のうちに終了いたしました。
　第2回目となる今回は、出展対象をSiC, GaNに加えて、ダイヤモンドや酸化ガリウム（Ga2O3）、その他の最先端WBG（ワイドバンドギャップ）半導体材料にまで拡大いたします。そこで展示会の名称も「SiC, GaN加工技術展」から「先進パワー半導体ウエハ加工技術展」に変更し、新たに出発いたします。さらに、従来のウエハメイク工程（スライス、研削、研磨など）に加えて、デバイス製造工程における加工技術（ダイシング、バックグラインディング、プラナリゼーションCMPなど）も対象とすることで、出展社・来場者のさらなる拡大を目指します。